شبیه سازی عددی میدان جریان و انتقال حرارت در یک اتاق با پانل سرمایش تشعشعی

thesis
abstract

با افزایش روز افزون جمعیت، توسعه و کاهش منابع انرژی، مصرف بهینه انرژی در همه زمینه ها از جمله در بخش ساختمان و سیستمهای گرمایش و سرمایش اهمیت پیدا نموده است. سیستم سرمایش تشعشعی یکی از روشهای مدرن در سرمایش ساختمانها می باشد، که در مقایسه با سایر سیستمهای سرمایشی نه تنها در صرفه جویی و بهینه سازی مصرف انرژی، بلکه در مقوله رفاه و آسایش ساکنین ساختمانها دارای نقاط قوت بسیاری می باشد. در این تحقیق میدان جریان و توزیع دما در یک اتاق با پانل سرمایش تشعشعی، با استفاده از نرم افزار فلوئنت شبیه سازی عددی شده است. اتاقی با ابعاد 3×3×3 متر با دو دیوار خارجی (شرقی و شمالی)، پنجره ای به ابعاد 1×1 متر روی دیوار شرقی و سایر سطوح به عنوان جداره های داخلی، در نظر گرفته شده است. مدلسازی ها هم برای وضعیتی که تمام سقف یا تمام یک دیوار به عنوان پانل سرمایش تشعشعی باشد، انجام شده و نتایج با هم مقایسه شده اند. همچنین بررسی تاثیر حضور ساکنین با در نظر گرفتن یک مکعب در مرکز اتاق که از آن شار حرارتی ثابتی خارج می شود انجام شده است. به منظور بررسی تاثیر دمای طرح خارج نیز، مدلسازی ها برای دو شهر تهران و سمنان انجام شده است. سرعت هوا داخل اتاق ناچیز و جریان غیرقابل تراکم در نظر گرفته شده است. با حل معادلات حاکم (معادلات پیوستگی، مومنتم و انرژی) همراه با معادله تابش با استفاده از تقریب بوزینسک، مدل تشعشعی جهات مجزا، مدل k-? استاندارد و روش سیمپل، میدان جریان و دما بدست آمده است. نتایج حاکی است برای وضعیت قرارگیری پانل در سقف حداقل 58% از انتقال حرارت از پانل، بصورت تشعشعی صورت می گیرد. مچنین با استفاده از سیستم پانل سرمایش سقفی یا دیواری، توزیع دمای عمودی و افقی در اتاق تقریباً یکنواخت بوده و میانگین سرعت هوا در اتاق کمتر از 2/0 متر بر ثانیه می باشد. برای شرایط مطالعه شده در این تحقیق پانل سرمایشی دیواری، علیرغم مصرف کمتر انرژی، شرایط آسایش حرارتی را بهتر از پانل سرمایشی سقفی تامین نموده است.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

شبیه سازی عددی انتقال حرارت جابه جایی در جریان مغشوش غیرنیوتنی نانوسیال در یک لوله افقی مدور

در این مقاله، انتقال حرارت جابه جایی در جریان مغشوش یک نانوسیال غیرنیوتنی درون لوله ای افقی و مدور با استفاده از روش دینامیک سیالات محاسباتی (CFD) و حل عددی معادلات بقای جرم، بقای ممنتوم و بقای انرژی بررسی می شوند. برای این منظور از نانوسیالی غیرنیوتنی متشکل از سیال غیرنیوتنی محلول نیم درصد وزنی کربوکسی متیل سلولز (CMC) در آب و نانوذرات Al2O3 استفاده شده است. در این تحقیق اندازه متوسط نانوذرات ...

full text

شبیه سازی عددی دوفازی جریان و انتقال حرارت نانوسیالها در میکرو چاه حرارتی با استفاده از مدل مخلوط همگن

در مقاله حاضر، جریان و انتقال حرارت جابجایی آرام نانوسیالها در یک میکروکانال دو بعدی با صفحات موازی بدون و با در نظر گرفتن انتقال حرارت هم بسته به صورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است. دو نوع نانوذرات آلومینوم اکسید و تیتانیم اکسید به ترتیب با قطرهای 47 و 27 نانومتر برای بررسی انتخاب شده ¬اند. حل عددی در محدوده¬ی اعداد رینولدز کمتر و مساوی 16، غلظت 1 تا 4 درصد و برای مقادیر مختلف نسبت هدایت گرما...

full text

بررسی عددی تاثیر میدان الکتریکی بر میدان جریان و انتقال حرارت جابجایی اجباری روی یک پله پسرو

در مطالعه حاضر، میدان جریان و دما روی یک پله پسرو تحت تاثیر میدان الکتریکی حاصل از اعمال ولتاژ بالا در شرایط دو بعدی، آشفته، غیرقابل تراکم و پایدار به صورت عددی، مورد تحلیل قرار گرفته است. مدل‌سازی عددی با نگرش حجم محدود و بر اساس حل معادلات میدان الکتریکی، جریان و انرژی است. در ابتدا پارامترهای میدان الکتریکی حاصل از نتایج عددی حاضر با نتایج تجربی برای یک صفحه تخت، مقایسه شده که از تطابق مناسب...

full text

تحلیل عددی میدان جریان و انتقال حرارت تحت تاثیر محرک الکتروهیدرودینامیک با استفاده از مدل میکروپولار

در تحقیق حاضر تأثیر آرایش الکترود تزریق‌کننده بر میزان اثرگذاری پدیده الکتروهیدرودینامیک در یک کانال مسطح با استفاده از مدل سیال میکروپولار پرداخته شده است. تأثیر موقعیت طولی الکترود تزریق‌کننده، فاصله بین الکترود تزریق‌کننده و الکترود جمع‌کننده و نیز آرایش طولی بررسی شده است. همچنین، نتایج حاصل از مدل میکروپولار با نتایج مدل آشفتگی کی- اپسیلون مقایسه شده است. نتایج عددی نشان می‌دهد که برای هر ...

full text

شبیه‌سازی عددی و بهینه سازی انتقال حرارت نانوساختار مغناطیسی در یک کانال در حضور یک میدان مغناطیسی غیریکنواخت

در مقاله حاضر، تأثیر یک منبع میدان خارجی غیریکنواخت بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال مگنتیت (فروسیال) داخل کانالی با سطح گرم، به‌صورت عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. هدف اصلی تأکید بر اهمیت موقعیت میدان مغناطیسی و بررسی احتمال افزایش انتقال حرارت از طریق یافتن مکان بهینه منبع میدان مغناطیسی است. مشاهده شد که میدان مغناطیسی گردابه‌هایی ایجاد کرده و بر ضخامت لایه مرزی حرارتی و تغییرات عدد...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده مهندسی

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023